12月30日，首芯半导体自主设计研发的首台12寸Dubhe系列等离子体增强型设备(PECVD Amorphous Carbon无定形碳硬掩膜先进工艺)顺利出机并交付至国内特色工艺客户。首芯半导体表示，此次设备交付是公司业务拓展和市场渗透的新里程碑，标志着公司在高端半导体装备制造领域迈出坚实的一步。

　　等离子体化学气相沉积(PECVD)是半导体制造中的核心环节，对确保整个芯片的工艺性能至关重要，直接决定了半导体器件的可靠性及质量。其中，无定形碳硬掩膜(PECVD Carbon)是实现半导体先进工艺图形化工序中重要的一道工序，该薄膜对于多晶硅，氧化硅，氮化硅等介质层薄膜具有高选择蚀刻比，能够支持客户实现高深宽比特征的图形化。同时Carbon薄膜在后续工艺能够被轻松去除,提高良率，进而降低了工艺开发的成本。在当前国内Fab厂光刻机受限的情况下，在先进制程领域，该膜层未来会被广泛采用，同时该膜层也适用于泛半导体领域内的特殊工艺需求。

　　首芯半导体的首台12寸Dubhe系列等离子体增强设备可对应客户90/55/28nm及以下制程的无定形碳薄膜工艺，匹配国外主流厂商同类型设备的工艺规格，具有更高的生产效率、更宽的工艺调节窗口等优点。该设备配备自主研发的射频控制系统、大气及真空传送平台，搭配了自主开发的软件控制系统，可以匹配客户的EAP和MES系统整合，协助客户自动化高效生产。可广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、MEMS、功率器件、硅基微显、硅光及先进封装等芯片制造领域。同时首芯半导体可针对客户需求进行工艺开发及优化，为客户提供长期技术支持。

　　目前首芯半导体研发实验室已经具备多种研发工艺机台，可以配合客户验证PE-TEOS oxide，BP-TEOS，PE-SiH4 Oxide，PE-SiN，Carbon等多种薄膜沉积工艺。未来公司将持续加大研发投入力度，积极吸引海外人才，搭建并扩充全球化研发团队，加强与客户的技术合作和交流，针对逻辑芯片、存储芯片、MEMS、功率器件、硅基微显、硅光及先进封装应用开发先进半导体薄膜沉积设备，引导并助力客户工艺开发及产品路径的制定，力争在较短的时间内成长为多元化的平台型半导体设备公司，持续为打破国外技术的垄断、国家的半导体发展战略和科技振兴贡献绵薄之力。

　　首芯半导体作为一家拥有核心自主知识产权的高端半导体装备供应商，专注于半导体前道工艺设备的研发、制造和销售及技术服务，主要产品为半导体薄膜沉积工艺设备，公司高度重视知识产权保护，自成立一年以来，已经申请发明专利15项，实用新型8项，软件着作权2项，多项发明及着作权已经获得授权并应用于薄膜沉积设备研发及生产。与此同时，公司在2024年也获得了创新型中小企业、江苏省潜在独角兽企业、江苏省科技型中小企业、和无锡市准独角兽企业等多项荣誉。

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